中国电工技术学会电力电子学会第十六届学术年会

274 / 2018-07-15 11:45:03

SiC MOSFET驱动保护电路研究

Plenary track > B.各类新型器件的驱动、控制、保护等技术，及其配套件、外壳、散热器、焊接、保护材料等技术

与Si IGBT相比，新型宽禁带功率半导体器件SiC MOSFET在高温、高频、高压等方面特性突出，但其阈值电压低，短路耐量弱，快速开关易引起高频振荡等问题也对其可靠应用带来了一定的难点。本文分析了SiC MOSFET的开关特性，设计了一款基于FPGA的数字式SiC MOSFET多等级栅电压驱动及降栅压软关断保护电路，通过双脉冲及短路测试平台，分析了门极驱动电阻RG、栅源极电容CGS、栅源极电压VGS、母线电压VDC等参数对SiC MOSFET开关特性及短路特性的影响，验证了所设计的驱动保护电路在改善SiC MOSFET开关特性，可靠保护等方面具有明显的优越性。