中国电工技术学会电力电子学会第十六届学术年会

285 / 2018-07-15 17:06:51

一种基于可变门极电阻的SiC MOSFET驱动方案研究

Plenary track > B.各类新型器件的驱动、控制、保护等技术，及其配套件、外壳、散热器、焊接、保护材料等技术

SiC MOSFET模块相较于传统Si MOSFET具有禁带宽度高，开关速度快，功率密度高等明显的优势，但其高频的开关速度和芯片内部寄生参数的特性也会带来过高的电压电流过冲，开关震荡，电磁干扰等一系列问题。因此，以稳定驱动为基础，同时追求更好的开关波形，更低的开关损耗，更高的工作温度，更可靠地故障保护等是现在SiC MOSFET驱动设计者们所共同的目标。本文提出了一种基于可变门极电阻的驱动策略，对其驱动特性进行了实验验证与分析，与传统驱动电路的驱动特性进行了分析与对比，最后对实验结果做出总结并对未来驱动发展趋势做出展望。