Abstract Details
299 / 2018-07-15 21:32:39
基于PSpice的SiC BJT行为建模
Final Paper
本文提出了一种基于Pspice的SiC 双极结型晶体管（BJT）建模的新方法，在子电路中采用模拟行为模型（ABM）来表示非线性参数，同时引入了不完全电离对模型进行修正，建立起一个SiC BJT的变温模型。新模型相对于传统模型精度更高，可以比较准确地反映SiC BJT的动、静态特性，可应用于SiC BJT的开关过程分析和电路的设计。
Important Date
-
Conference Date
Oct 12
2018
toOct 14
2018
-
Jun 30 2018
Draft paper submission deadline
-
Oct 14 2018
Registration deadline
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