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GaN-HETM双向谐振型直流变换器分析与设计
Final Paper
李舒成 / 华中科技大学电力电子研究技术中心
刘邦银 / 华中科技大学电力电子技术研究中心
庆姜 / 华中科技大学电力电子技术研究中心
赵文成 / 华中科技大学电力电子技术研究中心
段善旭 / 华中科技大学电力电子技术研究中心
本文提出了一种基于GaN-HEMT双向谐振型直流变换器,该变换器结构简单、控制易实现、具有良好的软开关能力,在保证传统LLC变换器的高效率高功率密度优点的基础上还具有正反向工作特性一致的特点,非常适用于能量双向流动场合。本文首先对该谐振型变换器在变频控制下的工作原理以及增益特性、软开关特性展开详细地理论分析,根据理论分析结果提出了适用于该谐振变换器的优化设计方法,在此基础上,最终设计并完成了一台基于GaN-HEMT的1.65kW双向谐振型直流变换器实验样机,峰值效率达98.4%。实验结果验证了理论分析的正确性以及所提设计方法的合理性。
Important Date
  • Conference Date

    Oct 12

    2018

    to

    Oct 14

    2018

  • Jun 30 2018

    Draft paper submission deadline

  • Oct 14 2018

    Registration deadline

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  • 吴莉莉
  • 029*********