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Introduction
本届会议旨在展示我国在金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术领域研发的新理论、新进展,及其在材料应用领域的新动态、新成果,为我国从事MOCVD技术研发以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会,探讨目前存在的问题和以后的主要发展方向,促进与MOCVD相关上中下游产业界的沟通与合作,进一步加快我国MOCVD技术创新及该技术的推广应用。 殷切希望国内外从事MOCVD及相关领域的专家、学者、科研技术人员、学生踊跃投稿,产业界人士积极参加会议,并提供与MOCVD技术相关的工作进展及产业概况的信息图片和资料。凡符合会议议题而且未在国内外学术刊物或会议上发表过的论文均可投稿。所有论文将编入会议文集,优秀论文将推荐到相关期刊上发表。
Call for paper

Important date

2009-11-13
Abstract submission deadline

Submission Topics

征文内容: 1、设备的研制与开发 Research and Development of MOCVD system 2、MO源、衬底等基础材料 MO Source, Substrate materials 3、III-V族化合物材料的生长和制备 Growth and Fabrication of III-V Compound Semiconductors 4、生长机理和动力学研究 Growth Theory and Dynamics of MOCVD
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Important Date
  • Conference Date

    Jan 12

    2010

    to

    Jan 15

    2010

  • Nov 13 2009

    Abstract Submission Deadline

  • Jan 15 2010

    Registration deadline

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中国科学院半导体研究所 国家半导体照明工程研发及产业联盟
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