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209 / 2018-07-10 10:36:49
SiC MOSFET 的特性分析与应用
Plenary track > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术
Draft Rejected
鹏毛 / 北方工业大学
靓张 / 北方工业大学
张卫平 / 北方工业大学
本文对比了硅和碳化硅材料的物理特性。 研究了 SiMOSFET 和 SiC MOSFET 的通态电阻和阈值电压的温度特性， 并对其输出特性进行分析。 建立了准确的数学模型描述SiC MOSFET 的 非线 性 寄生 电 容。 此外 ， 给出 了 SiCMOSFET 驱动电压的选择。 在理论分析的基础上， 搭建了交错并联反激变换器实验平台。
Important Date

  • Conference Date

    Oct 12

    2018

    to

    Oct 14

    2018

  • Jun 30 2018

    Draft paper submission deadline

  • Oct 14 2018

    Registration deadline

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  • 吴莉莉
  • 029*********
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