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396
SiC MOSFET功率模块开通特性分析Final Paper

博胡*

Plenary Track > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

390
测试Final Paper

周昂扬*

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386
基于电压控制电流源型SiC MOSFET 内核PSpice建模Final Paper

郭浩波*, 艳李

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377
强电磁脉冲环境下高压直流输电系统晶闸管换流阀饱和电抗器可靠性计算Final Paper

YangZebin*, ChenJiangnan, LiuCui, GouYating, ZhuoFang, WangFeng

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374
“Si IGBT+SiC MOSFET”并联开关的特性分析Final Paper

刘海晨, 吴学智*, ZhaoTiefu, 武亮亮, 李国庆

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372
特殊环境下晶闸管换流阀的电应力分布及影响因素分析Final Paper

刘翠翠*

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371
T型IGBT模块的损耗分析和稳态温度预测Final Paper

王见鹏*

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328
HVDC换流阀水冷系统可靠性研究综述Final Paper

陈江南*, 杨泽斌 , 刘翠, 勾雅婷, 卓放, 王丰

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310
压接式SiC MOSFET寄生电阻分析Final Paper

闫蕊*, 陈敏, 朱楠, 徐德鸿

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306
集成开关稳压器不同类型续流二极管损耗对比分析Draft Rejected

吴琪, 胡存刚*

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300
基于开通dIDS/dt的SIC MOSFET 模块结温提取及实现方法研究Final Paper

强王*, 雷黄

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297
21.7kV 4H-SiC晶闸管的开通特性研究Final Paper

LiuQing, PuHongbin*, WangXi, LiJiaqi

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296
长基区少子寿命对SiC光触发晶闸管开通特性的影响研究Final Paper

蒲红斌*, 曦王, 安丽琪, 陈治明

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294
一种改进的4H-SiC晶闸管多区JTE结构Final Paper

PuHongbin*, WangYafang, WangXi, LiuQing

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284
基于TSEP的IGBT神经网络结温预测Draft Rejected

马汉卿*, 孟昭亮, 高勇

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Important Date
  • Conference Date

    Oct 12

    2018

    to

    Oct 14

    2018

  • Jun 30 2018

    Draft paper submission deadline

  • Oct 14 2018

    Registration deadline

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  • 吴莉莉
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