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294 / 2018-07-15 21:01:13
一种改进的4H-SiC晶闸管多区JTE结构
Plenary track > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术
Final Paper
WangYafang / Xi'an University of Technolgy
PuHongbin / Xi'an University of Technology
WangXi / Xi'an University of Technolgy
LiuQing / Xi'an University of Technolgy
本文提出了适用于超高压4H-SiC晶闸管改进型JTE结构，并通过Sentaurus-TCAD进行仿真分析，实现了13.5kV的耐压（约为理想平面结电压的94%）。与传统三区JTE结构相比，该JTE结构仅需两次嵌套离子注入完成，且利用在JTE3中加入调制环，可在最优剂量范围内，因注入剂量变化而导致击穿电压偏移率从6.7%降低至0.2%的效果。在JTE3外加入浮空区可使最优剂量窗口增加约44%，鲁棒性更好。
Important Date

  • Conference Date

    Oct 12

    2018

    to

    Oct 14

    2018

  • Jun 30 2018

    Draft paper submission deadline

  • Oct 14 2018

    Registration deadline

Contact Information
  • 吴莉莉
  • 029*********
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