中国电工技术学会电力电子学会第十六届学术年会

297 / 2018-07-15 21:28:02

21.7kV 4H-SiC晶闸管的开通特性研究

Plenary track > A.各种新型电力半导体器件(含各类模块)的设计、工艺、特性分析、测试、可靠性等技术

分析了21.7kV 4H-SiC非对称晶闸管的开通机理；主要通过商用仿真软件模拟晶闸管的开通过程，改变门极触发电流的幅值大小Ig、阳-阴极之间的电压UAK等，研究开通过程中的延迟和扩展两个阶段特性。结果表明：门极触发电流幅值增加或阳-阴极之间的电压增大都会降低开通时间；从超高压碳化硅晶闸管的二维扩展阶段得出此结构的扩展速度约为1.64x104cm/s；碳化硅晶闸管的延迟时间和扩展时间同属一个ns数量级，且相差不大，不同于硅晶闸管的扩展时间远远大于延迟时间的特点。因此，碳化硅晶闸管的开通时间更短，则开通损耗更小。